Trên dây chuyền, ngân sách nhiệt của wafer được cố định. Một điểm nóng trong quá trình burn-in, và cơ chế hỏng hóc sẽ lọt vào dữ liệu thay vì bị loại bỏ. Chúng tôi đã xây dựng đèn gia nhiệt thử nghiệm burn-in wafer để loại bỏ sự mơ hồ đó.
Điều quan trọng bên trong
Chúng tôi sử dụng các bộ phát quartz-halogen gần hồng ngoại (NIR) được điều chỉnh để cung cấp nhiệt nhanh, có định hướng, sau đó đóng vòng lặp điều khiển để giữ điểm đặt trong ±0.1°C. Điều này đảm bảo độ đồng đều cấp wafer trên các profile nhiệt chặt chẽ mà không bị vượt nhiệt gây hư hại các lớp xếp chồng. Bộ ghép nối này sẵn sàng cho phòng sạch Class 1–100: vật liệu ít giải phóng khí, mối nối kín, và thiết kế kiểm soát hạt nhằm giữ sạch wafer khỏi nhiễm bẩn. Bạn có được đầu ra ổn định, liên tục 24/7, được hỗ trợ bởi MTBF và chu kỳ bảo trì có tài liệu để đảm bảo lịch trình không bị gián đoạn.
Lý do phương pháp này phù hợp với quy trình
Các bước burn-in và bake—soft bake, hard bake, và curing sau xử lý—không chỉ cần nhiệt độ mà còn cần điều khiển nhiệt độ lặp lại chính xác. Kết quả là các profile nhiệt đồng nhất giữa các dây chuyền, giảm thiểu việc làm lại và hạn chế các trường hợp nhiệt độ bị lệch do trôi nhiệt. Năng lượng tiêu thụ giảm vì NIR làm nóng trực tiếp mục tiêu, và thời gian chu trình rút ngắn khi kiểm soát được tốc độ tăng và giảm nhiệt. Trong công việc liên quan đến lithography, đèn này cũng hỗ trợ các cửa sổ bake photoresist với biên độ nhiệt hẹp hơn, cải thiện năng suất mà không cần thay thế thiết bị hiện có.
Những điều cần lưu ý khi lên kế hoạch
Đèn hoạt động hiệu quả khi mảng phát phù hợp với hình học và khối nhiệt của chuck. Việc lắp đặt phụ thuộc vào căn chỉnh quang học chính xác và khả năng làm mát được xác nhận; nếu việc tản nhiệt không đủ, băng thông điều khiển giảm và độ đồng đều bị ảnh hưởng. Quá trình vận hành đầu tiên nhanh chóng, từ đó bạn có một quy trình ổn định có thể ghi chép và sẵn sàng cho kiểm tra.