http://warm-ir-indoor.com/cs/tags/l%C3%A9%C4%8Dba/ Recent content in Léčba on Indoor Warm IR Solutions Hugo cs Mon, 13 Jul 2026 17:04:19 +0800 http://warm-ir-indoor.com/cs/posts/reflector-for-wafer-curing-lamp/ Mon, 13 Jul 2026 17:04:19 +0800 http://warm-ir-indoor.com/cs/posts/reflector-for-wafer-curing-lamp/ <p><img src="http://warm-ir-indoor.com/images/e359da41a435291bc4b653b358552252.png" alt="Reflektor pro lampu na vysychání waférů"></p> <h1 id="přestaňte-plýtvat-teplem-lepší-způsob-zpracování-destiček">Přestaňte plýtvat teplem: Lepší způsob zpracování destiček</h1> <p>Pokud používáte infračervenou lampu bez reflektoru k zpracování destiček, v podstatě plýtváte polovinou své energie.</p> <p>Vždyť u standardních infračervených lamp teplota putuje ve všech směrech – totiž na 360 stupňů. V malé komoře na zpracování to znamená, že polovina tepla prostě dopadá na stěny. To není jen plýtvání energií, ale také způsobuje, že vnitřní část aparátu funguje jako obrovský radiátor. Je to noční můra pro systém chlazení a představuje skutečné nebezpečí pro každého, kdo se tam snaží něco opravit.</p> http://warm-ir-indoor.com/cs/posts/underfill-curing-for-semiconductor-ir/ Thu, 02 Jul 2026 03:15:59 +0800 http://warm-ir-indoor.com/cs/posts/underfill-curing-for-semiconductor-ir/ <p><img src="http://warm-ir-indoor.com/images/e359da41a435291bc4b653b358552252.png" alt="Vytvrzování podplnění pro polovodiče IR"></p> <p>V <a href="https://henruite.com">prostor</a>ách výroby, při zasychání podkladové hmoty u polovodičů typu IR, dochází ke kolizi mezi tepelnými požadavky a kvalitou výrobku. Jeden balení výrobku může být nedostatečně zaschlé, což po procesu recirkulace vede k oddělení jednotlivých vrstev výrobku – hodnota Cpk tak přesahuje stanovené limity. Vytvořili jsme systém pro zasychání podkladové hmoty pomocí NIR záření, abychom udrželi co nejlepší tepelný profil, takže každý výrobek splňuje požadavky na spolehlivost bez jakýchkoliv problémů.</p> <p><strong>Co je z hlediska techniky důležité:</strong><br> Dosahujeme tepelné rovnoměrnosti na úrovni waferu v rozsahu ±0,1 °C v <a href="https://goldisgood.com">oblasti</a> zasychání podkladové hmoty. Tato rovnoměrnost zůstává stabilní i po opakovaných cyklech. Energie z NIR záření proniká rychle do materiálu, přičemž se substrát nezahřívá nad míru – takže tepelná zátěž zůstává v mezích povolených pro daný výrobek. Systém funguje 24/7 bez tvorby částic a je vhodný do čistých prostor třídy 1–100. Teplotní kontrola je na úrovni očekávané u procesů soft bake a hard bake – integrita fotorezistentu zůstává zachována a kritické rozměry se nemění.</p>