Zukunft der Halbleiterheiztechnologie

Fri, 26 Jun 2026 01:28:03 +0800

In der Fertigungshalle reicht bereits eine Temperaturabweichung von 0,5 °C während des Trocknungsprozesses des Fotolacks aus, um ganze Chargen zu verschwenden. Der thermische Aufwand auf Wafer-Ebene ist keine Empfehlung – er ist vielmehr eine Notwendigkeit. Wir haben die Heizplattform entsprechend dieser Realität konstruiert.

Was technisch wichtig ist: Unser Near-Infrared-Emittersystem sorgt dafür, dass die Temperatur auf Wafer-Ebene innerhalb von ±0,1 °C in der aktiven Zone konstant bleibt. Die Wiederholgenauigkeit der Einstelltemperatur beträgt ±0,2 °C von Charge zu Charge. Die Temperatursteigerung erfolgt mit einer Geschwindigkeit von 10 °C/s, ohne dass es zu Überschreitungen kommt. Dadurch bleibt das thermische Profil beim Weichen- und Harttrocknen erhalten. Das System ist für Reinräume der Klasse 1–100 geeignet. Die Heizzone ist so konzipiert, dass keine Partikel entstehen – somit bleibt die Oberflächenkontamination unter 1 Partikel pro Wafer. Das System kann kontinuierlich arbeiten; die durchschnittliche Betriebszeit liegt bei über 50.000 Stunden. Zudem bleibt die Leistung des Heizers über 5.000 Stunden hinweg stabil, wobei die Intensitätsabweichung weniger als 5 % beträgt.

Zukunft on Indoor Warm IR Solutions

Zukunft der Halbleiterheiztechnologie