Futuro della tecnologia di riscaldamento a semiconduttori

Fri, 26 Jun 2026 01:28:03 +0800

Nelle linee di produzione, una variazione di temperatura di 0,5°C durante il processo di essiccazione del fotorest è sufficiente per rendere invendibili interi lotti di prodotto. Il controllo termico a livello di wafer non è una semplice raccomandazione: è fondamentale per il funzionamento corretto della linea di produzione. Abbiamo progettato la piattaforma di riscaldamento tenendo conto di questa realtà.

Dal punto di vista tecnico, ciò che conta è l’uniformità della temperatura a livello di wafer: il nostro sistema a emissione in infrarosso vicino garantisce un’uniformità entro ±0,1°C nell’area attiva del wafer. Inoltre, la ripetibilità dei valori di temperatura rimane entro ±0,2°C da un lotto all’altro. La velocità di aumento della temperatura può raggiungere i 10°C/s, senza che si verifichino sbalzi troppo elevati; quindi il profilo termico durante i processi di essiccazione rimane stabile. Il sistema è progettato per funzionare in ambienti di classe 1–100, e la zona di riscaldamento è progettata per evitare qualsiasi forma di contaminazione, mantenendo il numero di particelle presenti sulla superficie del wafer inferiore a 1 particella per ogni ciclo di lavorazione. Il sistema può funzionare in modalità continua per oltre 50.000 ore, con una stabilità dell’intensità di riscaldamento inferiore al 5%.

Tecnologia on Indoor Warm IR Solutions

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