O futuro da tecnologia de aquecimento por semicondutores

Fri, 26 Jun 2026 01:28:03 +0800

Na área de produção, uma variação de temperatura de 0,5°C durante o processo de aquecimento do fotoreosto é suficiente para comprometer todo um lote de produtos. O controle térmico no nível da wafer não é algo opcional – é essencial. Construímos a plataforma de aquecimento com base nessa realidade.

O que importa, do ponto de vista técnico:

Nosso arranjo de emissores de luz infra-vermelha próxima (NIR) garante uma uniformidade de temperatura na faixa de ±0,1°C em toda a área ativa da wafer. A repetibilidade do ponto de ajuste de temperatura fica entre ±0,2°C de lote em lote. A taxa de aumento de temperatura é de 10°C/s, sem excedentes, mantendo assim o perfil térmico adequado durante os processos de aquecimento. O sistema foi projetado para funcionar em ambientes de classe 1–100, e a zona quente é projetada para gerar zero partículas, mantendo a contaminação da superfície abaixo de 1 partícula por wafer. O sistema funciona de forma contínua, com um tempo médio entre falhas superior a 50.000 horas. Além disso, a arquitetura do aquecedor mantém a estabilidade de saída por mais de 5.000 horas, com uma variação de intensidade inferior a 5%.

Futuro on Indoor Warm IR Solutions

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