Tương lai của công nghệ làm nóng bằng bán dẫn

Fri, 26 Jun 2026 01:28:03 +0800

Trong quy trình sản xuất, sự thay đổi nhiệt độ 0,5°C trong quá trình nung phim khoáng cũng đủ để làm hỏng toàn bộ lô sản phẩm. Việc kiểm soát nhiệt độ ở cấp độ wafer không chỉ là điều khuyến nghị mà còn là yêu cầu bắt buộc. Chúng tôi thiết kế bộ phận gia nhiệt dựa trên nguyên tắc này.

Về mặt kỹ thuật, điều quan trọng là bộ phát ánh sáng hồng ngoại gần của chúng tôi giúp duy trì độ đồng đều của nhiệt độ ở mức ±0,1°C trên toàn bộ diện tích wafer. Độ chính xác của nhiệt độ được duy trì ở mức ±0,2°C giữa các lô sản phẩm. Tốc độ tăng nhiệt độ lên tới 10°C/giây mà không xảy ra hiện tượng vượt quá ngưỡng cho phép; do đó, đồ thị nhiệt độ trong quá trình nung vẫn được duy trì ổn định. Hệ thống này được thiết kế để hoạt động trong môi trường sạch cấp độ 1–100, và khu vực gia nhiệt được thiết kế sao cho không tạo ra bất kỳ hạt bụi nào – giúp duy trì mức độ ô nhiễm bề mặt dưới mức 1 hạt/wafer. Hệ thống hoạt động liên tục với thời gian hoạt động trung bình trên 50.000 giờ; bộ phận gia nhiệt vẫn duy trì được độ ổn định trong hơn 5.000 giờ, với mức sai lệch nhiệt độ dưới 5%.

Công Nghệ on Indoor Warm IR Solutions

Tương lai của công nghệ làm nóng bằng bán dẫn